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IGBT/SIC模塊功率循環(huán)試驗系統(tǒng) 華科智源-功率循環(huán)老化設(shè)備主要是針對IGBT/SIC的封裝可靠性行進行實驗,通過控制實驗條件再現(xiàn)IGBT封裝的主要兩種失效方式:鍵合線失效和焊料層老化。實驗的關(guān)鍵是控制結(jié)溫的波動范圍以及最高溫度,得到不同條件下的實驗壽命,從而得到IGBT的壽命。
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